最先端ArFリソグラフィー技術に対応するレジストラインナップ
フォトレジストのトップメーカーの当社はArF ドライ露光、液浸(Immersion)露光、DTDやPTD等のマルチパターニング技術の半導体ArFフォトリソプロセスによる先端微細パターニングに対応する各種フォトレジストをご提供しており、この分野でトップマーケットシェアを確保しています。
Line形成用として設計、開発を行なったレジストです。
基板
BARC on Si
レジスト膜厚
250nm
プリベーク
130℃-60秒
露光
ArFステッパー
露光条件
NA=0.85, Sigma=0.60
マスク
Binary
P.E.B
130℃-60秒
現像
TMAH 2.38%, LDノズル, 30秒
130nm LS (19.6mJ) |
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130nm Iso-L | ![]() |
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130nm Iso-S | ![]() |
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LS | Iso-L | Iso-S | |
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DOF@5% EL +/- 10% CD |
0.39um | 0.33um | 0.17um |
DOF (um) | -0.15 | -0.12 | -0.09 | -0.06 | -0.03 | F.C | +0.03 | +0.06 | +0.09 | +0.12 | +0.15 |
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130nm LS | ![]() |
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130nm iso-L | ![]() |
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100nm iso-S | ![]() |
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Hole形成用として設計、開発を行なったレジストです。
-0.30 | -0.20 | -0.10 | 0 | +0.01 | +0.20 | +0.30 | |
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ピッチ 300nm |
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