深堀ドライエッチング用レジスト

Siの深堀ドライエッチングに最適な厚膜ポジレジスト

MEMSやTSVなどで行われるSi基板深堀エッチングのボッシュ式、非ボッシュ式の各ドライエッチング方式に応じた厚膜レジストをご用意しております。

PMER P-CY1000

ノンボッシュ法(REI)によるSi深堀ドライエッチングに対応

ドライエッチング時の低温基板温度条件下でも高いクラック耐性を有します (-15℃/30min)。
PMER P-CY1000は良好な耐クラック性を有し、非ボッシュ式シリコンエッチング(REI式)時の基板冷却により発生するレジストクラックを防止して安定したエッチングが可能となります。

深堀イオンエッチング

  エッチング処理前 エッチング後レジスト除去
PMER P-CY1000 エッチング処理前:PMER™ P-CY1000
Si基板上 10μmパターン
エッチング後レジスト除去:PMER™ P-CY1000

クラックテスト

  パターンエリア レジストエリア
PMER
P-CY1000
パターンエリア:PMER™ P-CY1000
クラック発生なし
レジストエリア:PMER™ P-CY1000
クラック発生なし
通常品
i線 レジスト
パターンエリア:通常品 i線 レジスト
クラック発生
レジストエリア:通常品 i線 レジスト
クラック発生

文中のPMERはTOKの出願中または登録商標です

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