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深堀ドライエッチング用レジスト
Siの深堀ドライエッチングに最適な厚膜ポジレジスト
MEMSやTSVなどで行われるSi基板深堀エッチングのボッシュ式、非ボッシュ式の各ドライエッチング方式に応じた厚膜レジストをご用意しております。
PMER P-CY1000
ノンボッシュ法(REI)によるSi深堀ドライエッチングに対応
ドライエッチング時の低温基板温度条件下でも高いクラック耐性を有します (-15℃/30min)。
PMER P-CY1000は良好な耐クラック性を有し、非ボッシュ式シリコンエッチング（REI式）時の基板冷却により発生するレジストクラックを防止して安定したエッチングが可能となります。
深堀イオンエッチング
| エッチング処理前 | エッチング後レジスト除去 | |
|---|---|---|
| PMER P-CY1000 |  Si基板上 10μmパターン |
 |
クラックテスト
| パターンエリア | レジストエリア | |
|---|---|---|
| PMER P-CY1000 |
 クラック発生なし |
 クラック発生なし |
| 通常品 i線 レジスト |
 クラック発生 |
 クラック発生 |
文中のPMERはTOKの出願中または登録商標です
TCIR-ZR8800
厚膜条件でも高解像性、高耐熱性、矩形形状の特性を有しボッシュ法によるSi深堀エッチングに最適
TCIR-ZR8800は高耐熱性・矩形形状パターンを有する10μまで厚膜対応可能なi線レジストです。ボッシュ式シリコン深堀エッチングにおいても安定した形状を維持して垂直でラフネスの小さいシリコンのエッチングが可能です。
| 通常品 i線 レジスト | TCIR-ZR8800 | |
|---|---|---|
| 高解像度 (膜厚=3μm, L/S=0.6/0.6 μm) |
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| 高耐熱性 (ポストベーク : 110℃-300秒) |
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| 矩形形状 (膜厚=6μm) |
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文中のTCIRはTOKの出願中または登録商標です
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