深堀ドライエッチング用レジスト

Siの深堀ドライエッチングに最適な厚膜ポジレジスト

MEMSやTSVなどで行われるSi基板深堀エッチングのボッシュ式、非ボッシュ式の各ドライエッチング方式に応じた厚膜レジストをご用意しております。

PMER P-CY1000

ノンボッシュ法(REI)によるSi深堀ドライエッチングに対応

ドライエッチング時の低温基板温度条件下でも高いクラック耐性を有します (-15℃/30min)。
PMER P-CY1000は良好な耐クラック性を有し、非ボッシュ式シリコンエッチング(REI式)時の基板冷却により発生するレジストクラックを防止して安定したエッチングが可能となります。

深堀イオンエッチング

  エッチング処理前 エッチング後レジスト除去
PMER P-CY1000 エッチング処理前:PMER™ P-CY1000
Si基板上 10μmパターン
エッチング後レジスト除去:PMER™ P-CY1000

クラックテスト

  パターンエリア レジストエリア
PMER
P-CY1000
パターンエリア:PMER™ P-CY1000
クラック発生なし
レジストエリア:PMER™ P-CY1000
クラック発生なし
通常品
i線 レジスト
パターンエリア:通常品 i線 レジスト
クラック発生
レジストエリア:通常品 i線 レジスト
クラック発生

文中のPMERはTOKの出願中または登録商標です

TCIR-ZR8800

厚膜条件でも高解像性、高耐熱性、矩形形状の特性を有しボッシュ法によるSi深堀エッチングに最適

TCIR-ZR8800は高耐熱性・矩形形状パターンを有する10μまで厚膜対応可能なi線レジストです。ボッシュ式シリコン深堀エッチングにおいても安定した形状を維持して垂直でラフネスの小さいシリコンのエッチングが可能です。

  通常品 i線 レジスト TCIR-ZR8800
高解像度
(膜厚=3μm, L/S=0.6/0.6 μm)
通常品 i線 レジスト:高解像度(膜厚=3μm, L/S=0.6/0.6 μm) TCIR™-ZR8800:高解像度(膜厚=3μm, L/S=0.6/0.6 μm)
高耐熱性
(ポストベーク : 110℃-300秒)
通常品 i線 レジスト:高耐熱性(ポストベーク : 110℃-300秒) TCIR™-ZR8800:高耐熱性(ポストベーク : 110℃-300秒)
矩形形状
(膜厚=6μm)
通常品 i線 レジスト:矩形形状(膜厚=6μm) TCIR-ZR8800:矩形形状(膜厚=6μm)

文中のTCIRはTOKの出願中または登録商標です

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