深堀ドライエッチング用レジスト

Siの深堀ドライエッチングに最適な厚膜ポジレジスト

MEMSやTSVなどで行われるSi基板深堀エッチングのボッシュ式、非ボッシュ式の各ドライエッチング方式に応じた厚膜レジストをご用意しております。

PMER P-CY1000

ノンボッシュ法(REI)によるSi深堀ドライエッチングに対応

ドライエッチング時の低温基板温度条件下でも高いクラック耐性を有します (-15℃/30min)。
PMER P-CY1000は良好な耐クラック性を有し、非ボッシュ式シリコンエッチング（REI式）時の基板冷却により発生するレジストクラックを防止して安定したエッチングが可能となります。

深堀イオンエッチング

	エッチング処理前	エッチング後レジスト除去
PMER P-CY1000	Si基板上 10μmパターン

クラックテスト

	パターンエリア	レジストエリア
PMER P-CY1000	クラック発生なし	クラック発生なし
通常品 i線 レジスト	クラック発生	クラック発生

文中のPMERはTOKの出願中または登録商標です