フォトレジスト

プロード露光波長プロジェクション露光から、高NA G/I線ステッパー露光機に対応可能な各種レジストをご用意しています。

KrF 248nm（クリプトンレーザー)の露光波長に対応するため、アルカリ溶解抑制効果を持たせたPHS樹脂と酸発生剤（PAG)を用いた化学増幅系フォトレジストです。

ArF Dry露光用、ArF液浸露光用（ArF Imm）の双方で、多数ラインナップを用意。ニーズにあわせて最適なレジストをお選びになれます。

13.5nmに吸収波長があるEUVレジストの研究開発を続けており、量産ラインでの実績もあります。

電子線に感光特性を持ったEBレジストです。高感度、パターン安定性を有したポジ型、ネガ型両タイプをご用意しています。

ディスプレイ用途でのi線レジストとして設計、開発されたシリーズ。微細性と高感度化を両立した配線パターニング用ポジ型レジストです。

ディスプレイ用途へのフォトリソグラフィの展開として、感光性黒色膜の設計、開発を行なっています。

リフトオフ形状が形成可能なポジ型・ネガ型両タイプのフォトレジスト。一般的な有機溶剤で、剥離が容易です。

酸性・アルカリ性エッチャントに耐性を持ったゴム系ネガレジスト。g線、i線、KrF各種フォトレジストをご用意しています。

Si基板深堀エッチングのボッシュ式、非ボッシュ式の各ドライエッチング方式に応じた厚膜レジストです。

ガラスへのウェットエッチング加工を可能にしたレジストです。Glibes N-100は、小さくて深いパターン形成にも対応します。

ノンシアン金、銀、錫など各種金属のめっき液の耐性を持った、電解めっき用途の高解像ポジ型厚膜レジストです。

2～20μmの薄膜から厚膜まで、各膜厚に応じた再配線形成用めっき対応レジストを提供しています。