半導体からMEMSまで汎用性の高いG・I線レジスト
G・H・I線のプロード露光波長プロジェクション露光から高NA G・I線ステッパー露光機に対応可能なポジティブ、ネガティブ両タイプのレジストをご用意しております。厚膜対応、高感度対応、ポリシリコン、タングステン配線等の高反射基板に対応する染料入りタイプなど、さまざまなレジストをラインナップしております。本サイトには代表的な製品をご紹介しております。他にも多種多様なラインナップをご用意しておりますのでその他タイプについてもお気軽にお問い合わせください。
基板
Bare-Si (HMDS塗布)
膜厚
1.26μm
プレベーク
90℃90秒、
110℃90秒(露光後ベークない場合)
露光
G線ステッパー(NA: 0.54)
露光後ベーク
110℃90秒(又は露光後ベークなし)
現像
NMD-3 2.38% 60秒
ポストベーク
110℃90秒(プロキシミティ)
OFPRシリーズ、TSMRシリーズ
G線(436nm)に感光波長を有するポジ型フォトレジストのシリーズです。ストリエーションが少なく、品種によってはターゲット寸法0.7μmまでの高解像度が得られます。かつTMAHによる現像工程が容易です。Na、Feなどのメタル不純物も少なく、剥離も容易です。OFPRシリーズの中でも、OFPR-800は有機アルカリ現像液NMD-3 2.38%との組み合わせにより、G線ポジ型フォトレジストとして広く普及しました。その他OFPRシリーズには高感度タイプのOFPR-5000、高耐熱タイプのOFPR-8600など多くのタイプがあります。TSMRシリーズは高NAステッパーに対応した高解像レジストシリーズです。更に矩形形状が特徴のTSMRーVシリーズ、高反射基板に対応した染料入りTSMR-CR等、多種多様の製品を取り揃えております。
基板
Si (HMDS)
膜厚
1.25μm
プレベーク
100°C-60秒
露光
NSR-1505G7E
P.E.B
120℃-90秒
現像
NMD-3
2.38%23°C60秒
0.4μm | 0.45μm | 0.5μm | 0.6μm | 0.7μm | 0.8μm | |
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TSMR-V90 Eth:270ms Eop:550ms (0.8μm) |
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文中のOFPR、TSMRはTOKの出願中または登録商標です
ご質問・ご相談などお気軽に
基板
Bare-Si(HMDS塗布)
膜厚
上記参照
プレベーク
90℃90秒(プロキシミティ)
露光
i線ステッパー(NA :0.57,σ :0.56)
露光後ベーク
110℃90秒(又は露光後ベークなし)
現像
NMD-3 2.38% 60秒
ポストベーク
110℃90秒(プロキシミティ)
TSMR、THMR-iP、TDMR-ARシリーズ
I線(365nm)に感光波長を有するフォトレジストです。ストリエーションが少なく、Lineで最小0.35μm、Holeで最小0.4μmの高解像性が得られます。かつTMAHによる現像工程が容易です。Na、Feなどのメタル不純物も少なく、剥離も容易です。
高解像性I線ポジ型フォトレジスト。微細なパターニンク形成に優れています。
基板
Si (HMDS)
膜厚
0.84μm
プレベーク
90°C90秒
露光
i線ステッパー(NA :0.57)
露光後ベーク
110℃90秒
現像
NMD-3 2.38% 23℃ 60秒
Eth:190ms Eop:465ms
0.28μm | 0.30μm | 0.35μm | 0.40μm |
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0.35μmL/S Eth:220ms Eop:540ms 膜厚 1.05μm
0 |
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0.2 | 0.4 | 0.6 | 0.8 | 1.0 |
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-0.2 | -0.4 | -0.6 | -0.8 | -1.0 |
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0.40μmC/H Eth:167ms Eop:779ms 膜厚 0.84μm
0 |
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0.2 | 0.4 | 0.6 | 0.8 | 1.0 |
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-0.2 | -0.4 | -0.6 | -0.8 | -1.0 |
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染料を含むことでAlなど高反射基板上での反射光によるハレーションを抑止し、パターニングを可能とします。
基板
Bare-Si (HMDS)
膜厚
2.1μm
プレベーク
90°C90秒
露光
i線ステッパー(NA :0.57)
露光後ベーク
110℃90秒
現像
NMD-3 2.38% 23℃ 60秒
ポストベーク
100℃60秒
Eop 1.5μL/S
0.38μm | 0.4μm | 0.5μm | 0.6μm | 0.8μm | 1.0μm |
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1.2μm | 1.5μm | 2.0μm | |||
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Eop 1.55μm L/S 350ms 膜厚 2.1μm
0 |
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0.3 | 0.6 | 0.9 | 1.2 | 1.5 |
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-0.3 | -0.6 | -0.9 | -1.2 | -1.5 |
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TSMR-iNシリーズ
I線(365nm)に感光波長を有するネガ型フォトレジストです。耐熱性が高く、ウエット/ドライエッチング耐性が高いです。
厚膜化による段差基板へのカバリング性、現像残渣改善に優れています。
膜厚
3μm
プレベーク
90℃120秒
露光
i線ステッパー(NA: 0.57)
露光後ベーク
110℃60秒
現像
NMD-3 2.38% 23℃ 60秒
ポストベーク
100℃60秒
700nm
-0.6 | -0.3 | 0 | 0.3 |
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基板
Bare-Si (HMDS)
膜厚
5.8μm
プレベーク
90℃120秒
露光
i線ステッパー(NA: 0.57)
露光後ベーク
100℃60秒
現像
NMD-3 2.38% 120秒
5μmスペース
0 |
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1.0 | 1.5 | 2.5 | 3.0 | 3.5 |
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-1.0 | -1.5 | -2.5 | -3.0 | -3.5 |
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膜厚5.8μm ポストベーク時間 300秒
なし |
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140℃ | 150℃ | 160℃ | 200℃ | 250℃ | 300℃ |
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