半導体からMEMSまで汎用性の高いG・I線レジスト

半導体からMEMSまで汎用性の高いG・I線レジスト

G・H・I線のプロード露光波長プロジェクション露光から高NA G・I線ステッパー露光機に対応可能なポジティブ、ネガティブ両タイプのレジストをご用意しております。厚膜対応、高感度対応、ポリシリコン、タングステン配線等の高反射基板に対応する染料入りタイプなど、さまざまなレジストをラインナップしております。本サイトには代表的な製品をご紹介しております。他にも多種多様なラインナップをご用意しておりますのでその他タイプについてもお気軽にお問い合わせください。

関連技術情報

G線レジスト

G線ポジレジスト OFPR、TSMRシリーズ

基板

Bare-Si (HMDS塗布)

膜厚

1.26μm

プレベーク

90℃90秒、
110℃90秒(露光後ベークない場合)

露光

G線ステッパー(NA: 0.54)

露光後ベーク

110℃90秒(又は露光後ベークなし)

現像

NMD-3 2.38% 60秒

ポストベーク

110℃90秒(プロキシミティ)

G線ポジ型フォトレジスト

OFPRシリーズ、TSMRシリーズ

G線(436nm)に感光波長を有するポジ型フォトレジストのシリーズです。ストリエーションが少なく、品種によってはターゲット寸法0.7μmまでの高解像度が得られます。かつTMAHによる現像工程が容易です。Na、Feなどのメタル不純物も少なく、剥離も容易です。OFPRシリーズの中でも、OFPR-800は有機アルカリ現像液OFPR-NMD-3 2.38%との組み合わせにより、G線ポジ型フォトレジストとして広く普及しました。その他OFPRシリーズには高感度タイプのOFPR-5000、高耐熱タイプのOFPR-8600など多くのタイプがあります。TSMRシリーズは高NAステッパーに対応した高解像レジストシリーズです。更に矩形形状が特徴のTSMRーVシリーズ、高反射基板に対応した染料入りTSMR-CR等、多種多様の製品を取り揃えております。

TSMR-V90

特長
  • 解像性に優れ、NA0.54ステッパーで寸法忠実度0.45μmを実現しました
  • DOFに対する許容範囲が広く、良好なパターンを維持できます
  • 高感度化を図り、スループットの向上を実現しました
  • 定在波の影響を低減させることにより、優れた寸法制御性を保持します

基板

Si (HMDS)

膜厚

1.25μm

プレベーク

100°C-60秒

露光

120°C-90秒

現像

NMD-3
2.38%23°C60秒

P.E.B

120℃-90秒

解像性
  0.4μm 0.45μm 0.5μm 0.6μm 0.7μm 0.8μm
TSMR-V90
Eth:215ms
Eop:418ms
(0.8μm)
TSMR-V90 Eth:215ms Eop:418ms(0.8μm) / 0.4μm TSMR-V90 Eth:215ms Eop:418ms(0.8μm) / 0.45μm TSMR-V90 Eth:215ms Eop:418ms(0.8μm) / 0.5μm TSMR-V90 Eth:215ms Eop:418ms(0.8μm) / 0.6μm TSMR-V90 Eth:215ms Eop:418ms(0.8μm) / 0.7μm TSMR-V90 Eth:215ms Eop:418ms(0.8μm) / 0.8μm
TSMR-V3HS
Eth:270ms
Eop:550ms
(0.8μm)
TSMR-V3HS Eth:270ms Eop:550ms(0.8μm) / 0.4μm TSMR-V3HS Eth:270ms Eop:550ms(0.8μm) / 0.45μm TSMR-V3HS Eth:270ms Eop:550ms(0.8μm) / 0.5μm TSMR-V3HS Eth:270ms Eop:550ms(0.8μm) / 0.6μm TSMR-V3HS Eth:270ms Eop:550ms(0.8μm) / 0.7μm TSMR-V3HS Eth:270ms Eop:550ms(0.8μm) / 0.8μm

文中のOFPR、TSMRはTOKの出願中または登録商標です

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ご質問・ご相談などお気軽に

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I線レジスト

I線ポジレジスト TSMR、THMR-iP、TDMR-ARシリーズ

基板

Bare-Si(HMDS塗布)

膜厚

上記参照

プレベーク

90℃90秒(プロキシミティ)

露光

i線ステッパー(NA :0.57,σ :0.56)

露光後ベーク

110℃90秒(又は露光後ベークなし)

現像

NMD-3 2.38% 60秒

ポストベーク

110℃90秒(プロキシミティ)

I線ポジ型フォトレジスト

TSMR、THMR-iP、TDMR-ARシリーズ

I線(365nm)に感光波長を有するフォトレジストです。ストリエーションが少なく、Lineで最小0.35μm、Holeで最小0.4μmの高解像性が得られます。かつTMAHによる現像工程が容易です。Na、Feなどのメタル不純物も少なく、剥離も容易です。

TDMR-AR80

高解像性I線ポジ型フォトレジスト。微細なパターニンク形成に優れています。

基板

Si (HMDS)

膜厚

0.84μm

プレベーク

90°C90秒

露光

i線ステッパー(NA :0.57)

露光後ベーク

110℃90秒

現像

NMD-3 2.38% 23℃ 60秒

解像性

Eth:190ms Eop:465ms

0.28μm 0.30μm 0.35μm 0.40μm
データ画像 データ画像 データ画像 データ画像
DOF性能

0.35μmL/S Eth:220ms Eop:540ms 膜厚 1.05μm

0
データ画像
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
データ画像 データ画像 データ画像 データ画像 データ画像
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0
データ画像 データ画像 データ画像 データ画像
DOF性能

0.40μmC/H Eth:167ms Eop:779ms 膜厚 0.84μm

0
データ画像
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
データ画像 データ画像 データ画像 データ画像
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0
データ画像 データ画像 データ画像 データ画像 データ画像

TSMR-CR57i10

染料を含むことでAlなど高反射基板上での反射光によるハレーションを抑止し、パターニングを可能とします。

基板

Bare-Si (HMDS)

膜厚

2.1μm

プレベーク

90°C90秒

露光

i線ステッパー(NA :0.57)

露光後ベーク

110℃90秒

現像

NMD-3 2.38% 23℃ 60秒

ポストベーク

100℃60秒

解像性

Eop 1.5μL/S

0.38μm 0.4μm 0.5μm 0.6μm 0.8μm 1.0μm
データ画像 データ画像 データ画像 データ画像 データ画像 データ画像
1.2μm 1.5μm 2.0μm
データ画像 データ画像 データ画像
DOF性能

Eop 1.55μm L/S 350ms 膜厚 2.1μm

0
データ画像
0.3 0.6 0.9 1.2 1.5
データ画像 データ画像 データ画像 データ画像 データ画像
-0.3 -0.6 -0.9 -1.2 -1.5
データ画像 データ画像 データ画像 データ画像

I線ネガ型フォトレジスト

TSMR-iNシリーズ

I線(365nm)に感光波長を有するネガ型フォトレジストです。耐熱性が高く、ウエット/ドライエッチング耐性が高いです。

TSMR-iN080

厚膜化による段差基板へのカバリング性、現像残渣改善に優れています。

膜厚

3μm

プレベーク

90℃120秒

露光

i線ステッパー(NA: 0.57)

露光後ベーク

110℃60秒

現像

NMD-3 2.38% 23℃ 60秒

ポストベーク

100℃60秒

解像性

700nm

-0.6 -0.3 0 0.3
データ画像 データ画像 データ画像 データ画像
データ画像 データ画像 データ画像 データ画像
DOF性能

基板

Bare-Si (HMDS)

膜厚

5.8μm

プレベーク

90℃120秒

露光

i線ステッパー(NA: 0.57)

露光後ベーク

100℃60秒

現像

NMD-3 2.38% 120秒

5μmスペース

0
データ画像
1.0 1.5 2.5 3.0 3.5
データ画像 データ画像 データ画像 データ画像 データ画像
-1.0 -1.5 -2.5 -3.0 -3.5
データ画像 データ画像 データ画像 データ画像 データ画像
耐熱性

膜厚5.8μm ポストベーク時間 300秒

なし
データ画像
140℃ 150℃ 160℃ 200℃ 250℃ 300℃
データ画像 データ画像 データ画像 データ画像 データ画像 データ画像

文中のTSMR、THMR、TDMRはTOKの出願中または登録商標です

G・I線レジスト

g/i-line レジストとは?
高圧水銀ランプを使用したG線(436nm)とI線(365nm)に感光波長を有するフォトレジストを指します。
ブロードバンド(g・h・i線) 露光 はできますか?
G・H・I線のプロード露光波長プロジェクション露光から高NA G・I線ステッパー露光機に対応可能なポジティブ、ネガティブ両タイプのレジストをご用意しております。
ウエットエッチング耐性はありますか?
酸系エッチャントのウェットエッチングに適用可能なG線ノボラック樹脂系ポジ型フォトレジスト並びに、
基板密着性に優れたポジティブトーン、ネガティブトーンの両タイプのI線レジストご用意しております。

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