RDL形成用レジスト

再配線/RDL形成めっき用フォトレジスト

2~20μmの薄膜から厚膜までの各膜厚に応じた再配線形成用めっき対応レジストをご用意しております。最新の高密度半導体パッケージ技術の2.5D/3D半導体実装、TSV - Si貫通電極積層メモリー、WL-CSP ( ウエハレベルチップサイズパッケージ/ Wafer Level Package Chip Size Package )、FOWLP / FOPLP ( Fan Out Wafer-/Panel Level-Package ) 、シリコンインターポーザ―に微細なRDLを形成可能な高解像性、ワイドDOFマージンを有する電解めっき用レジストです。実装環境耐性に優れるナフトキノン型と高解像タイプ化学増幅型の両タイプを取り揃えております。また、Na2CO3無機アルカリ現像液でご使用可能な高解像タイプなど、多様なプロセスに対応できる製品をご用意しております。

関連技術情報

TMMR P-W1000T

NQD系の高解像RDL形成用フォトレジストです。NQD系特有のプロセス工程で環境の影響を受けない非常に安定した特性を得られるフォトレジストです。

特長

  • ポジタイプ
  • 現像液:NMD-3 2.38% (TMAH 2.38%)
  • レジスト膜厚: 4μm〜12μm
  • 高解像度、矩形プロファイル、 良好な剥離性

リソグラフィー画像

  レジストパターン形状 銅メッキ後 レジスト除去後
レジスト膜厚 5μm
L/S : 2μm / 2μm
レジストパターン形状:レジスト膜厚 5μm L/S : 2μm / 2μm 銅メッキ後:レジスト膜厚 5μm L/S : 2μm / 2μm レジスト除去後:レジスト膜厚 5μm L/S : 2μm / 2μm
レジスト膜厚 8μm
L/S : 3μm / 3μm
レジストパターン形状:レジスト膜厚 8μm L/S : 3μm / 3μm 銅メッキ後:レジスト膜厚 8μm L/S : 3μm / 3μm  
レジスト膜厚 8μm
L/S : 6μm / 6μm
レジストパターン形状:レジスト膜厚 8μm L/S : 6μm / 6μm 銅メッキ後:レジスト膜厚 8μm L/S : 6μm / 6μm  

条件

下地

Cu

P.A.B.

110℃-90秒

露光

i線 ステッパー

現像

NMD-3 2.38% (TMAH 2.38%)
60秒 x 2パドル

剥離

ST104 70℃-600秒

文中のTMMRはTOKの出願中または登録商標です

PMER P-BZシリーズ

8~20μm対応可能な厚膜対応のRDL形成用フォトレジストです。厚膜領域においても矩形の形状が得られます。

特長

  • ポジタイプ
  • 現像液:NMD-3 2.38% (TMAH 2.38%)
  • レジスト膜厚: 8μm〜20μm
  • ワイドプロセスマージン、良好な剥離性

レジストパターン形状

ライン / スペース 10μm/10μm 8μm/8μm 6μm/6μm 4μm/4μm
レジスト膜厚
20μm
10μm/10 μm:レジスト膜厚 20μm 8μm/8μm:レジスト膜厚 20μm 6μm/6μm:レジスト膜厚 20μm 4μm/4μm:レジスト膜厚 20μm

条件

下地

Cu

P.A.B.

140℃-330秒

露光

ghi 線 ステッパー(NA:0.18)

P.E.B.

100℃-180秒

現像

TMAH 2.38%
60秒 x 2パドル

PMER P-CMシリーズ

超高解像度RDL形成用フォトレジスト。1.5μパターンを形成し非常にワイドなデフォーカスマージンを有し良好なメッキ液耐性を有するフォトレジストです。

特長

  • ポジタイプ
  • 現像液:NMD-3 2.38% (TMAH 2.38%)
  • レジスト膜厚:3μm〜12μm
  • ワイドDOF マージン、良好な剥離性

レジストプロファイル

ライン / スペース 2μm/2μm 1.5μm/1.5μm
レジスト膜厚 6μm 2μm/2μm:レジスト膜厚 6μm 1.5μm/1.5μm:レジスト膜厚 6μm

DOF マージン

レジスト膜厚 6μm
センター
レジスト膜厚 6μm:プロファイル寸法 = 2.5μm L/S
プロファイル寸法
= 2.5μm L/S
+4μm +8μm +12μm
レジストパターン形状:+4μm 銅メッキ後:+8μm レジスト除去後:+12μm
-4μm -8μm -12μm
レジストパターン形状:-4μm 銅メッキ後:-8μm レジスト除去後:-12μm

条件

下地

Cu

P.A.B.

130℃-300秒

露光

i線 ステッパー(NA:0.18)

P.E.B.

100℃-90秒

現像

NMD-3 2.38%(TMAH 2.38%)
30秒 x 2パドル

PMER P-CP50

スリットコーター塗布にも対応。大型基板のパネルレベルパッケージプロセスに適用可能でH線専用露光機にも良好な特性を得られる高解像タイプRDL形成用レジストです。

特長

  • ポジタイプ
  • H線露光機対応レジスト
  • Developer:NMD-3 2.38% (TMAH 2.38%)
  • レジスト膜厚:3μm~ 8μm (スリットコーター)
  • ワイド DOF マージン、良好な剥離性
ライン / スペース
レジスト膜厚 7μm
5μm/5μm 3μm/3μm 2μm/2μm
現像後 現像後:5μm/5μm 現像後:3μm/3μm 現像後:2μm/2μm
RDL形成
レジスト除去後
RDL形成 レジスト除去後:5μm/5μm RDL形成 レジスト除去後:3μm/3μm RDL形成 レジスト除去後:2μm/2μm

条件

下地

Cu

P.A.B.

130℃-240秒

露光

H線 直描露光機 600mJ/cm2

P.E.B.

90℃-240秒

現像

NMD-3 2.38%(TMAH 2.38%)
60秒 x 2パドル

文中のPMERはTOKの出願中または登録商標です

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