再配線/RDL形成めっき用フォトレジスト
2~20μmの薄膜から厚膜までの各膜厚に応じた再配線形成用めっき対応レジストをご用意しております。最新の高密度半導体パッケージ技術の2.5D/3D半導体実装、TSV - Si貫通電極積層メモリー、WL-CSP ( ウエハレベルチップサイズパッケージ/ Wafer Level Package Chip Size Package )、FOWLP / FOPLP ( Fan Out Wafer-/Panel Level-Package ) 、シリコンインターポーザ―に微細なRDLを形成可能な高解像性、ワイドDOFマージンを有する電解めっき用レジストです。実装環境耐性に優れるナフトキノン型と高解像タイプ化学増幅型の両タイプを取り揃えております。また、Na2CO3無機アルカリ現像液でご使用可能な高解像タイプなど、多様なプロセスに対応できる製品をご用意しております。
NQD系の高解像RDL形成用フォトレジストです。NQD系特有のプロセス工程で環境の影響を受けない非常に安定した特性を得られるフォトレジストです。
レジストパターン形状 | 銅メッキ後 | レジスト除去後 | |
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レジスト膜厚 5μm L/S : 2μm / 2μm |
|||
レジスト膜厚 8μm L/S : 3μm / 3μm |
|||
レジスト膜厚 8μm L/S : 6μm / 6μm |
下地
Cu
P.A.B.
110℃-90秒
露光
i線 ステッパー
現像
NMD-3 2.38% (TMAH 2.38%)
60秒 x 2パドル
剥離
ST104 70℃-600秒
文中のTMMRはTOKの出願中または登録商標です
8~20μm対応可能な厚膜対応のRDL形成用フォトレジストです。厚膜領域においても矩形の形状が得られます。
ライン / スペース | 10μm/10μm | 8μm/8μm | 6μm/6μm | 4μm/4μm |
---|---|---|---|---|
レジスト膜厚 20μm |
下地
Cu
P.A.B.
140℃-330秒
露光
ghi 線 ステッパー(NA:0.18)
P.E.B.
100℃-180秒
現像
TMAH 2.38%
60秒 x 2パドル
超高解像度RDL形成用フォトレジスト。1.5μパターンを形成し非常にワイドなデフォーカスマージンを有し良好なメッキ液耐性を有するフォトレジストです。
ライン / スペース | 2μm/2μm | 1.5μm/1.5μm |
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レジスト膜厚 6μm |
レジスト膜厚 6μm センター プロファイル寸法 = 2.5μm L/S |
+4μm | +8μm | +12μm |
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-4μm | -8μm | -12μm | |
下地
Cu
P.A.B.
130℃-300秒
露光
i線 ステッパー(NA:0.18)
P.E.B.
100℃-90秒
現像
NMD-3 2.38%(TMAH 2.38%)
30秒 x 2パドル
スリットコーター塗布にも対応。大型基板のパネルレベルパッケージプロセスに適用可能でH線専用露光機にも良好な特性を得られる高解像タイプRDL形成用レジストです。
ライン / スペース レジスト膜厚 7μm |
5μm/5μm | 3μm/3μm | 2μm/2μm |
---|---|---|---|
現像後 | |||
RDL形成 レジスト除去後 |
下地
Cu
P.A.B.
130℃-240秒
露光
H線 直描露光機 600mJ/cm2
P.E.B.
90℃-240秒
現像
NMD-3 2.38%(TMAH 2.38%)
60秒 x 2パドル
文中のPMERはTOKの出願中または登録商標です
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