一度露光にて逆テーパープロファイルの形成が可能なアルカリ現像タイプのネガ型フォトレジストです。1~6μmの幅広いレジスト膜厚領域対応。レジスト除去も一般的な剥離液をご使用いただけます。
Focus | レジスト膜厚 = 6μm Eop 120mJ/cm2 |
レジスト膜厚 = 3μm Eop 100mJ/cm2 |
レジスト膜厚 = 1μm Eop 80mJ/cm2 |
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プロファイル | C.D./角度 | プロファイル | C.D./角度 | プロファイル | C.D./角度 | |
-1.5μm | ![]() |
10.2μm/73° | ![]() |
10.1μm/75° | ![]() |
10.2μm/53° |
0μm | ![]() |
10.1μm/74° | ![]() |
10.1μm/75° | ![]() |
10.2μm/53° |
1.5μm | ![]() |
10.0μm/75° | ![]() |
10.1μm/75° | ![]() |
10.2μm/53° |
基板
Si (HMDS処理)
レジスト膜厚
6μm ,3μm ,1μm
プリベーク
120℃- 90 秒
露光
g・h・i 線 ステッパー(NA:0.16)
P.E.B.
110℃-90 秒
現像
NMD-3 2.38% 120秒
リフトオフプロセス対応可能なアルカリ水溶液現像のポジ型フォトレジストです。ポジタイプの特長である高解像、良好な剥離性を生かしてリフトオフ工程の微細化が可能です。
レジスト膜厚 | |||||
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2μm | 3μm | 4μm | |||
プロファイル | アンダーカット寸法 | プロファイル | アンダーカット寸法 | プロファイル | アンダーカット寸法 |
![]() |
A=0.30μm B=0.38μm |
![]() |
A=0.35μm B=0.49μm |
![]() |
A=0.49μm B=0.61μm |
基板
Si (HMDS処理)
プリベーク
90℃-90 秒
露光
i 線 ステッパー(NA:0.63)
P.E.B.
110℃-90 秒
現像
NMD-3 2.38% 60秒
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