リフトオフ用レジスト

リフトオフ用ポジ・ネガフォトレジスト

単層・単一露光によりリフトオフ形状が形成可能なポジ型・ネガ型両タイプのフォトレジストをご用意しております。スパッタ蒸着による成膜プロセスに対応。一般的な有機溶剤にて容易に剥離が可能です。

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Lift-off工程用レジスト

ネガタイプTLOR-N001PM

一度露光にて逆テーパープロファイルの形成が可能なアルカリ現像タイプのネガ型フォトレジストです。1～6μmの幅広いレジスト膜厚領域対応。レジスト除去も一般的な剥離液をご使用いただけます。

特長

• ネガティブトーンタイプ
• 逆テーパープロファイル
• レジスト膜厚 : 1.0~6.0μm

Focus	レジスト膜厚 = 6μm Eop 120mJ/cm2		レジスト膜厚 = 3μm Eop 100mJ/cm2		レジスト膜厚 = 1μm Eop 80mJ/cm2
	プロファイル	C.D./角度	プロファイル	C.D./角度	プロファイル	C.D./角度
-1.5μm		10.2μm/73°		10.1μm/75°		10.2μm/53°
0μm		10.1μm/74°		10.1μm/75°		10.2μm/53°
1.5μm		10.0μm/75°		10.1μm/75°		10.2μm/53°

実装条件

基板

Si (HMDS処理)

レジスト膜厚

6μm ,3μm ,1μm

P.A.B.

120℃- 90 秒

露光

g･h･i 線 ステッパー(NA:0.16)

P.E.B.

110℃-90 秒

現像

NMD-3 2.38% 120秒

ポジタイプTLOR-P003HP

リフトオフプロセス対応可能なアルカリ水溶液現像のポジ型フォトレジストです。ポジタイプの特長である高解像、良好な剥離性を生かしてリフトオフ工程の微細化が可能です。

特長

• ポジティブトーンタイプ
• 良好な剥離性
• レジスト膜厚 =2.0~4.0μm

レジスト膜厚
2μm		3μm		4μm
プロファイル	アンダーカット寸法	プロファイル	アンダーカット寸法	プロファイル	アンダーカット寸法
	A=0.30μm B=0.38μm		A=0.35μm B=0.49μm		A=0.49μm B=0.61μm

実装条件

基板

Si (HMDS処理)

P.A.B.

90℃-90 秒

露光

i 線 ステッパー(NA:0.63)

P.E.B.

110℃-90 秒

現像

NMD-3 2.38% 60秒

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