ArF液浸用低欠陥ポジ型フォトレジストの開発

フォトレジストとは

半導体デバイスの進化の歴史は微細化の歴史であるともいえます。この微細加工技術を実現するうえで欠かせないのがフォトレジストです。フォトレジストは写真の技術を応用して、複雑かつ微細な回路パターンを基盤に転写する役割を持ちます。これまで、微細化はg 線(436nm)、i線(365nm)、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)と光源の波長を短くすることで実現されてきましたが、この短波長化によりフォトレジストの材料の透過率などの光学特性が変化する為、TOKでは波長変化に対し適切な素材を開発し、各波長に最適なフォトレジストを開発してきました。

図1　フォトレジストの変遷

フォトレジストに要求される性能は保存安定性、環境安全性、微細解像性、低欠陥など多岐にわたりますが、この性能を決めるうえで重要な役割を果たしているのがポリマー(高分子化合物)です。ポリマーはモノマー(低分子化合物)と呼ばれる構成単位がいくつもつながった形をしており、このモノマーの構造を変えることで様々な機能を付与することができます。また、モノマーの構成比率によっても性能を変化させることができます。
その為、TOKでは、高機能なモノマーの開発や、組成比率を細かく調整し最適化を行う事で様々な要求に応えられるフォトレジストの開発を実現しています。

レジストの主成分である『ポリマー』の模式図

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