東京応化工業の製品サイト
製品特徴・事業紹介
半導体で培った技術をもとに、新たな分野を開拓します
東京応化⼯業は、1940年（昭和15年）の設⽴以来、研究開発型企業として最先端技術を追求し高純度化学薬品から感光性材料のフォトレジストの高機能へと技術を拡大してファインケミカルの分野で事業を展開してきました。
これまでニッチな最先端分野での価値創造を続けてきた当社ですが、AIやIoT、5Gなど新たなイノベーションが進展する未来に向けて、当社の製品・技術が貢献できる分野はさらに広がっていくものと確信しています。
半導体産業で培った柔軟性の高い開発力をベースに、製品・技術に磨きをかけ、新たな開発テーマにも果敢に挑戦してまいります。下記でご紹介する当社のコア技術をご覧いただき、お客様の開発に活かせる可能性がありましたら、分野に限らず、ぜひ私たちにご相談ください。
東京応化工業を支える3つの強み
半導体用フォトレジスト事業で培った開発力・対応力・付加価値の高い製品。
その実績を土台に新たな分野の需要創出を進めています。
半導体用フォトレジストの世界シェアNo.1※
材料から装置までトータルに対応
東京応化工業は、1962年に半導体用フォトレジストの国産化を実現。その後も、電子機器の小型化・高性能化に伴い、時代に合った高純度なフォトレジストや化学薬品の開発を行い、半導体産業の成長を支えてきました。
材料事業・装置事業の二部門からなる当社の事業は、フォトレジストだけでなく、高純度化学薬品やプロセス機器などの装置を展開することで半導体製造の全工程に対応できるソリューションを提供しております。
※ArF、KrF、g線、i線用フォトレジストの2017年の合計販売数量実績ベース
（冨士経済『2018光機能材料・製品市場の全貌』をもとに当社算出）
三位一体の顧客密着戦略で実現する
柔軟性の高い開発体制
半導体の製造工程は、お客様によって大きく異なります。そのためフォトレジストや洗浄液等の化学薬品には、個々の設計や製造工程に最適化したカスタムメイド品をすばやく提供することが必要です。
これを実現するため、当社では開発・営業・製造が連携し、お客様のニーズをしっかりと把握することを大切にしています。国内はもちろん海外の主要製造拠点にも開発エンジニアが常駐し、お客様の要望にスピーディに応えられる体制を実現しています。
ご存じですか？
東京応化工業の12のコア技術
東京応化工業は2020年に創業80周年を迎えました。
当社を古くからご存じのお客様にとっては「フォトレジストの東京応化」というイメージが強いでしょう。
しかし、当社の強みとなる製品・得意とする技術は、フォトレジストに限りません。
当社のコアとなる12の技術から貴社の開発に活かせる「技術の種」を探してください。
微細加工技術
東京応化工業の中心となる技術は、世界最高水準の微細加工技術です。フォトリソグラフィを用いた微細加工技術は、現在、ナノメートル（nm）単位の加工精度が求められています。当社では、世界で最も微細な回路線幅7nm向けのEUV（極紫外線）用フォトレジストを開発・提供。また以下の分野の開発・製造で世界最高水準の技術を蓄積しています。
高純度化技術（ppqレベルへ）
微細加工技術を実現するため、世界最高純度の化学薬品（洗浄液、シンナー、現像液等）を提供。デバイスの量産化において、歩留まり向上に貢献しています。
高純度化技術も時代に合わせて進化しており、製品中不純物は1ppm（100万分の1）以下からはじまり、現在ではppq（1,000兆分の1）レベルに達するものもあります。
お客様のプロセスに応じた高品質グレードの開発、分子サイズでの性能制御など、難易度が高い領域にも強みを発揮します。
高純度化学薬品におけるメタル不純物の検出感度10ppt以下
1/100,000,000,000以下
全波長帯に対応
半導体の発展とともに、フォトリソグラフィ技術で用いられる露光装置の解像度の向上が進み、光源はg線（436nm）、i線（365nm）、KrFエキシマレーザー（248nm）、ArFエキシマレーザー（193nm）、そして次世代の露光技術であるEUV（13.5nm）と短波長化してきました。当社は各種光源向けのフォトレジストを取り扱っており、全波長帯に対応。お客様が求める機能特性に合わせて最適な製品をご選択いただけます。
カスタマイズ性（専用仕様）
半導体の製造プロセスはお客様や製品の種類によって異なるため、その材料となるフォトレジストや化学薬品にも個々のお客様の要求にすばやく、的確に対応できる力が必要です。
これは材料だけでなく、装置にもいえることです。当社の装置事業は、大手装置メーカーと異なり、ニッチな領域に特化しています。半導体材料の特性を最大限に生かすためのプロセスをご提案するM&E（Materials & Equipment）戦略をとっており、お客様の個々のプロセスに最適な「一点もの」を提供することができます。
高密着性
フォトリソグラフィの工程では、半導体基板とフォトレジストの密着性を高めることが重要です。
特に、高機能携帯端末や電子部品の軽量化・薄型化・小型化を支える最先端のパッケージプロセスや、MEMSの製造工程では、より密着性に優れた材料が求められます。
東京応化工業では、密着性に優れた高密度実装対応めっき用フォトレジストやMEMS製造プロセス用フォトレジスト、感光性永久膜フォトレジストなどを開発し、電子部品の微小化と高性能化を支えています。
感光性材料のノウハウとその応用
これまで培った感光性材料のノウハウを活用し、新しい時代の課題解決に役立つ高付加価値製品も開発しています。
MEMS構造形成材料である感光性永久膜フォトレジストは、従来の犠牲膜法と比較し大幅な工程の簡素化が可能です。また、フォトリソグラフィによるパターニングと基板接合がひとつの材料で可能な感光性接着材料も取り揃えています。
さらに、新規事業分野では感光材の技術をベースに、光をコントロールする構造を作るための加工技術として、ナノインプリント材料の事業化も進めています。
形状コントロール
材料設計から矩形性はもとより、テーパー形状、逆テーパー形状へのコントロールを可能とした加工膜を形成可能です。また、パターニング後に熱焼成等の工程追加による形状変更（半球形等）が可能な製品も取り揃えております。
低温（＜150度）／高温（300〜600度）への対応
低温キュアにて永久膜形成が可能なフィルム基板向けレジストや、高温領域では、Si含有樹脂を用いて600℃までの高温プロセスでもご使用いただける製品の開発に取り組んでおります。
黒色・透明・屈折率変更
顔料添加により遮光性を有したパターニング可能な黒色レジスト材料を遮光率OD値毎でラインナップを揃えております。また、広波長領域で高い透過率を有した透明膜材料を複数種揃えております。そして、屈折率の変化を持たせる材料も取り揃えております。
剥離 、リワーク性
本来の薬品の調合技術を生かし、有機・無機薬液から独自開発より新たな特性を生み出し、処理する材質（レジスト、エッチング残渣物、金属変質膜等）のみを選択的に除去する高純度の剥離液、洗浄剤をラインナップしております。それらの製品は、各地域の環境規制にも対応できるようラインナップを取り揃えております。
永久膜特性
エポキシ樹脂ベースの高解像感光性永久膜です。高解像、高密着性の特性を有し、高アスペクトの微細パターンの形成が可能です。層間絶縁膜や流路MEMSの中空構造体、SAW/BAWフィルターのRFデバイスへのキャビティ構造体の形成に適用可能です。ラミネート用のフィルムタイプ、スピン塗布用の液タイプをご用意しております。
また、バイオメムス（BioMEMS）に要求される自家蛍光 ( Autofluorescence )の小さい製品も取り揃えております。
品質安定（生産技術）
当社で製造する薬液は、半導体グレードの規格確保、Lot間での差異が生じぬよう、製品製造時にSPC管理を行ない、品質の安定性を図っております。これらは長年の生産で培った技術/ノウハウを用いて、実施しております。
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