ウェットエッチング用レジスト

酸性、アルカリ性どちらのエッチャントにも耐性をもつネガレジスト

酸性、アルカリ性エッチャントのどちらにも耐性を持ったゴム系レジストと、酸系エッチャントによるウェットエッチング処理にて微細パターン形成が可能な、g線、i線、KrF ポジ及びネガの両タイプのフォトレジストをご用意しております。

ウェットエッチング

ゴム系ネガレジスト OMR-100

ゴム系ネガレジスト OMR™-100

酸性・アルカリ性エッチャントに耐性を持ったゴム系ネガレジストです。ゴム系樹脂を主原料に使用しているため、密着性及び薬液耐性に優れノボラック樹脂系ポジ型レジストに比べ長時間のウェットエッチング工程に対応し、サイドエッチング量を小さくできます。

ゴム系ネガティブトーンタイプ

実装条件

下地

SiO2 (700nm)

レジスト膜厚

1.0μm

プリベーク

80~85℃ 20分 (温風循環乾燥機)

露光

G/I/H ブロードバント露光機
(11.0mW/㎠ 405nm)

ポストベーク

145±5℃ 20~30分 (温風循環乾燥機)

現像・リンス

OMR現像液, OMRリンス液

  エッチング条件
HF:NH4F 23℃-5分
5.0μm
ラインパターン
5.0μm ラインパターン

文中のOMRはTOKの出願中または登録商標です

G線ポジレジスト OFPR-800

G線ポジレジスト OFPR™-800

基板との密着性を向上させたG線ノボラック樹脂系ポジ型フォトレジストです。酸系エッチャントのウェットエッチングに適用可能です。ゴム系ネガレジストに比べ解像性に優れており微細なパターンのウェットエッチングが可能となります。

ノボラック系ポジティブトーンタイプ

実装条件

下地

SiO2

プリベーク

90°C-90秒

露光

G線ステッパー

ポストベーク

120℃-5分(オーブン)

現像

NMD-W 2.38% 65秒

  エッチング条件
HF:NH4F=1:6 23℃-20分
5.0μm
ラインパターン
5.0μm ラインパターン

文中のOFPRはTOKの出願中または登録商標です

I線ポジレジスト THMR-IP5700/I線ネガレジスト TSMR-iN080

I線ポジレジスト THMR™-IP5700/I線ネガレジスト TSMR™-iN080

ウェットエッチングに適用可能な基板密着性に優れたポジティブトーン、ネガティブトーンの両タイプのi線レジストご用意しております。

実装条件

下地

SiO2 (HMDS 110℃-60秒処理)

レジスト膜厚

5um

P.A.B.

90℃-120秒

露光

I線ステッパー (NA 0.57, σ 0.67)

P.E.B.

110℃-60秒

現像

TMAH 2.38% パドル60秒

Post Bake

100℃-60秒

エッチャント

BHF(NH4F・HF 21%aq.)

エッチング時間

12分

  THMR-iP5700 TSMR-iN080
パターニング後
プロファイル
THMR-iP5700パターニング後 プロファイル: TSMR-iN080パターニング後 プロファイル:
ウェット
エッチング後
THMR™-iP5700:ウェットエッチング後 TSMR™-iN080:ウェットエッチング後
サイドエッチング幅 2.61μm 3.34μm

文中のTHMR、TSMRはTOKの出願中または登録商標です

KrFポジレジスト TDUR-P802

エッチャント耐性と基板との密着性を確保させた、高解像KrFウェットエッチング工程用の微細加工用レジストです。I線レジストで達成できないサブミクロンのパターンサイズに対してKrFリソグラフィーでパターニング後、ウェットエッチングに適用可能なポジ型レジストです。

TDUR-P802 解像性

実装条件

下地

SiO2 (HMDS 110℃-60秒処理)

レジスト膜厚

510nm

P.A.B.

110℃-60秒

露光

KrFステッパー (NA:0.68)

P.E.B.

110℃-60秒

現像

NMD-3 2.38% 60秒

  200nm スペース
EOP:13.0mJ 200nm スペース:EOP:13.0mJ

TDUR-P802 ウェットエッチング特性

実装条件

下地

SiO2 (HMDS処理)

レジスト膜厚

518nm

P.A.B.

110℃-60秒

露光

KrFステッパー(NA:0.68)

P.E.B.

110℃-60秒

現像

NMD-W 2.38% 60秒

エッチング

HF:NH4F=1:6 660秒

レジスト膜厚 518nm
ポストベーク 110℃-300秒 130℃-300秒
5.0μm
ラインパターン
レジスト膜厚 518nm:5.0μmラインパターン レジスト膜厚 518nm:5.0μmラインパターン
サイドエッチング幅 3.02μm 2.90μm
600nm
コンタクトホール
レジスト膜厚 518nm:600nmコンタクトホール レジスト膜厚 518nm:600nmコンタクトホール
サイドエッチング幅 1.02μm 0.96μm

文中のTDURはTOKの出願中または登録商標です

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