高感度にて微細なホールパターン形成が可能。下地との高密着性を有し、めっき工程で高いプロセスマージンを有しております。また、めっき工程後のレジスト膜除去では、ネガ型レジストに比べて容易に剥離が可能。バンプ電極形成工程でのコストダウンを可能にします。レジスト膜厚は10～100μmまで各膜厚に対応できるレジストを各種取り揃えております。 SiP ( System in Package ) 、PoP ( Package on Package ) などの高度な半導体実装技術に対応した各種プロセス材料をご用意しております。

関連技術情報

電解めっき用フォトレジストラインナップ

Cuピラー、マイクロバンプ向けめっき用フォトレジスト

Cuピラーバンプ、Sn/Ag バンプ、マイクロバンプ 形成

PMER P-BZ4000

高解像性、メッキ液耐性を持ち合わせたメッキ工程用ポジ型フォトレジストです。Cu Pillar BGAやTSVメモリーのマイクロバンプに要求される高アスペクト比のメッキ電極形成工程に対応いたします。Cu、Ni、SnAgの連続メッキにも対応可能です。電解メッキ工程後のレジスト剥離性も良好ですので、電極にダメージ無く容易にレジスト除去が可能です。レジスト膜厚20~65μmに合わせた各粘度タイプをご用意しております。

特長

• ポジティブトーンタイプ
• 現像：NMD-3 2.38% (TMAH 2.38%)
• レジスト膜厚：20μm〜65μm
• ワイドプロセスマージン&クラックマージン
• 矩形形状＆良好な剥離性

レジストプロファイル

条件

PMER P-BZ2000

高解像性、メッキ液耐性を持ち合わせたメッキ工程用ポジ型フォトレジストです。Cu Pillar BGAやTSVメモリーのマイクロバンプに要求される高アスペクト比のメッキ電極に対応。Cu,Ni,SnAgの連続メッキにも対応可能。レジスト剥離性も良好ですのでメッキ工程後、形成した電極へのダメージ無く容易にレジスト除去が可能です。レジスト膜厚20~65μmに合わせた各粘度タイプをご用意しております。

レジストプロファイル

条件

PMER P-CSシリーズ

金、パラジウム等の貴金属メッキ工程に使用可能。金属メッキ液に対し高耐性をもつ電解メッキ工程用フォトレジストです。

特長

• 微細金メッキ
• ポジティブトーンタイプ
• 適用膜厚範囲=10~20μm

Pd メッキ条件

レジスト除去後 金メッキ形状

L/S=20/20μm	20μm角柱 メッキ形状

パラジウム メッキ形状