東京応化工業が提供するフォトレジストは、半導体の製造工程に欠かせないものです。また当社は、光を利用して微細な加工を行うフォトリソグラフィ工程で使われる高純度化学薬品や各種装置も提供しています。半導体製造の前工程の概要と、そこで活躍する当社製品をご紹介します。

Process1 フォトレジストの塗布

フォトレジストは感光性材料と呼ばれ、光に反応して変化する材料です。半導体の配線の製造工程では、まずシリコンウェハー(薄い円盤状の土台)にフォトレジストを塗布します。当社ではフォトレジスト材料はもちろん、多様な条件に適応する塗布装置も提供しています。

Process1 フォトレジストの塗布

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Process2 露光

写真を印画紙に焼き付けるように、フォトマスク(設計図)をフォトレジストに転写します。
フォトリソグラフィ⼯程に使われるフォトレジストには、露光部分が現像液に溶解せずパターンとして残り未露光部が溶解する「ネガ型」と、露光部分が現像液に溶解して未露光部がパターンとして残る「ポジ型」があります。また光の種類もさまざまあり、当社ではg線からEUVまで全波長に対応するフォトレジストを取り扱っています。

Process2 露光

Process3 現像

写真と同様に、現像することで露光した設計図のフォトレジストパターンを形成します。
設計図のパターンを形成するために、各種タイプのフォトレジストに対応した専用現像液に浸漬するなどの⽅法で不要な部分のレジストを溶解させ除去します。当社では各種レジストに対応する現像液をご提供しています。

Process3 現像

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Process4 エッチング(食刻)

現像で形成したフォトレジストパターンを保護膜として、フォトレジストのない部分をエッチング(食刻)します。エッチングの方法にはドライエッチング、ウェットエッチングがあります。当社では、耐熱性、エッチング特性、めっき耐性を向上させる真空UVハードニング装置を提供しています。

Process4 エッチング(食刻)

Process5 フォトレジスト除去

不要になったフォトレジストを除去します。各種フォトレジストに合った剥離液を活用することで、基板や薄膜に影響を与えずにフォトレジストを除去することができます。当社では高純度な洗浄液、剥離液、シンナーを提供しています。

Process5 フォトレジスト除去

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Process6 半導体領域の形成

不純物を拡散させる材料を塗布したのち、ウェハーを高温で焼成することにより、半導体領域を形成します。当社では、拡散材も取り扱っています。

Process6 半導体領域の形成

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Process7 絶縁膜や配線の形成

アルミニウムや銅で配線を形成します。当社では、層間絶縁膜を形成する材料を取り扱っています。

Process7 絶縁膜や配線の形成

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Process8 集積回路を形成

これらの工程を繰り返すことで、集積回路を形成、ウエハ上に半導体素子が完成します。

Process8 集積回路を形成

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