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KrFレジスト
248ｎｍレーザーに対応した化学増幅系レジスト開発力
248nm波長のクリプトン・フッ素（KrF）レーザー光源に対応したレジストを1990年後半より開発してまいりました。
長年のレジスト開発より、ポジ型タイプ、ネガ型タイプ、厚膜タイプなどの各種幅広いラインナップの製品を取り揃え、多くのお客様の多様なニーズにお応えいたします。
関連技術情報
ライン用ポジ型KrFレジスト
ライン形成用として設計、開発を行なったレジストです。メタル、インプラント向けを中心に広い工程で使用いただいております。
TDUR-P3435
条件
基板
Si with HMDS
レジスト膜厚
（TPR）
250nm; (Nf:1.56 at 633nm) /
190nm; (Nf:1.56 at 633nm)
プリベーク
100℃-60秒
TARC
TARC 44nm (RI=1.44 at 633nm)
TARCベーク
60℃-60秒
露光
KrFステッパー（NA ：0.75,σ ：0.60）
P.E.B.
110℃-60秒
レチクル
TOK-248-010 (6% HT)
現像
NMD-3 2.38%, 23℃-60秒, LDノズル
ポストベーク
100℃-60秒
ターゲット
ターゲット C.D. : 150nm ライン
(マスク : 150nm ピッチ : 330nm)
概要
| TPR=250nm | TPR=190nm | ||
|---|---|---|---|
| Profile | LS |  |
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| ISO |  |
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| Trench |  |
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Hole用ポジ型KrFレジスト
Hole形成用として設計、開発を行なったレジストです。コンタクトホール形成を始め、各工程で使用いただいております。
TDUR-P4197T PM
下地
BARC
膜厚
430nm(R.I.:1.56@633nm)
Softbake
90°C-60s
露光
KrFステッパー（NA ：0.75, σ 2/3annular)
マスク
TOK Reticle (HT 6%)
P.E.B.
110°C-60秒
現像
NMD-3 2.38% 60秒 パドル
ターゲット：ホール/マスク/ピッチ = 123/150/300
| -0.20 | -0.15 | -0.10 | -0.05 | 0 | 0.05 | 0.10 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TPR：340nm Exp：75mJ/cm2 |
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| TPR：430nm Exp：79mJ/cm2 |
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| TPR：520nm Exp : 86mJ/cm2 |
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ネガ型KrFレジスト
ネガ型のメリットを生かせる露光形成パターン、またフォトリソ工程後のプロセスに対応する各種ネガ型タイプをラインナップしております。
TDUR-Nシリーズ
基板
BARC
レジスト
TDUR-Nシリーズ
膜厚
400nm (Nf:1.58)
プリベーク
90-100dC/60秒
露光
KrFステッパー (θ 2/3 Annular）
P.E.B.
100℃-60秒
レチクル
6% Half tone
現像
NMD-3 2.38% 60秒
| TDUR-Nシリーズ 38mJ / cm2 |
TDUR-Nシリーズ 38mJ / cm2 |
TDUR-Nシリーズ 38mJ / cm2 |
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|---|---|---|---|
| 300nm |  |
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| 250nm |  |
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| 200nm |  |
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| 180nm |  |
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| 170nm |  |
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| 160nm |  |
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| 150nm |  |
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| 140nm |  |
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| 130nm |  |
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厚膜KrFレジスト
膜厚10μmも確保できるポジ型レジストです。厚膜インプラ工程、階段層形成工程などで御使用いただいております。
TDUR-P9001 CO
プロファイル
- 厚膜パターニングに最適化した光透過性です
- 厚膜においても高解像性、垂直プロファイルが得られます
- ISO トレンチ ターゲット CD サイズ : 1.5μm
実装条件
基板
Si with HMDS
レジスト膜厚
9.2um (R.I. 1.56)
プリベーク
140℃-60秒
露光
KrFステッパー（NA ：0.55,σ ：0.49）
レチクル
バイナリーレチクル
P.E.B.
110℃-60秒
現像
NMD-3 2.38%, 60秒
ポストベーク
100℃-60秒
ターゲットCD
Trench : 1.5 umスペース /
16.5 umピッチ Dot: 1.5 umスペース /
12.0 umピッチ
文中のTDURはTOKの出願中または登録商標です
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