世界トップシェアを誇る各種KrFレジストを用意

248nmレーザーに対応した化学増幅系レジスト開発力

248nm波長のクリプトン・フッ素(KrF)レーザー光源に対応したレジストを1990年後半より開発してまいりました。
長年のレジスト開発より、ポジ型タイプ、ネガ型タイプ、厚膜タイプなどの各種幅広いラインナップの製品を取り揃え、多くのお客様の多様なニーズにお応えいたします。

関連技術情報

ライン用ポジ型KrFレジスト

ライン形成用として設計、開発を行なったレジストです。メタル、インプラント向けを中心に広い工程で使用いただいております。

TDUR-P3435

条件

基板

Si with HMDS

レジスト膜厚

250nm; (Nf:1.56 at 633nm) / 
190nm; (Nf:1.56 at 633nm)

プレベーク

100℃-60秒

TARC

TARC 44nm (RI=1.44 at 633nm)

TARCベーク

60℃-60秒

露光

KrFステッパー(NA :0.75,σ :0.60)

P.E.B

110℃-60秒

レチクル

TOK-248-010 (6% HT)

現像

NMD-3 2.38%, 23℃-60秒, LDノズル

ポストベーク

100℃-60秒

ターゲット

ターゲット C.D. : 150nm ライン
(マスク : 150nm ピッチ : 330nm)

概要

  TPR=250nm TPR=190nm
Profile LS Profile LS / TPR=250nm Profile LS / TPR=190nm
ISO Profile ISO / TPR=250nm Profile ISO / TPR=190nm
Trench Profile Trench / TPR=250nm Profile Trench / TPR=190nm

Hole用ポジ型KrFレジスト

Hole形成用として設計、開発を行なったレジストです。コンタクトホール形成を始め、各工程で使用いただいております。

TDUR-P4197T PM

下地

BARC

膜厚

430nm(R.I.:1.56@633nm)

Softbake

90°C-60s

露光

KrFステッパー(NA :0.75, σ 2/3annular)

マスク

TOK Reticle (HT 6%)

P.E.B

110°C-60秒

現像

NMD-3 2.38% 60秒 パドル

ターゲット:ホール/マスク/ピッチ = 123/150/300

  -0.20 -0.15 -0.10 -0.05 0 0.05 0.10
TPR:340nm
Exp:75mJ/cm2
-0.20: TPR:340nm Exp:75mJ/cm2 -0.15: TPR:340nm Exp:75mJ/cm2 -0.10: TPR:340nm Exp:75mJ/cm2 -0.05: TPR:340nm Exp:75mJ/cm2 0: TPR:340nm Exp:75mJ/cm2 0.05: TPR:340nm Exp:75mJ/cm2 0.10: TPR:340nm Exp:75mJ/cm2
TPR:430nm
Exp:79mJ/cm2
  -0.15: TPR:430nm Exp:79mJ/cm2 -0.10: TPR:430nm Exp:79mJ/cm2 -0.05: TPR:430nm Exp:79mJ/cm2 0: TPR:430nm Exp:79mJ/cm2 0.05: TPR:430nm Exp:79mJ/cm2 0.10: TPR:430nm Exp:79mJ/cm2
TPR:520nm
Exp : 86mJ/cm2
  -0.15: TPR:520nm Exp:86mJ/cm2 -0.10: TPR:520nm Exp:86mJ/cm2 -0.05: TPR:520nm Exp:86mJ/cm2 0: TPR:520nm Exp:86mJ/cm2 0.05: TPR:520nm Exp:86mJ/cm2 0.10: TPR:520nm Exp:86mJ/cm2

ネガ型KrFレジスト

ネガ型のメリットを生かせる露光形成パターン、またフォトリソ工程後のプロセスに対応する各種ネガ型タイプをラインナップしております。

TDUR-Nシリーズ

基板

BARC

レジスト

TDUR-Nシリーズ

膜厚

400nm (Nf:1.58)

プレベーク

90-100dC/60秒

露光

KrFステッパー (θ 2/3 Annular)

P.E.B.

100℃-60秒

レチクル

6% Half tone

現像

NMD-3 2.38% 60秒

TDUR™-Nシリーズ
  TDUR-Nシリーズ
38mJ / cm2
TDUR-Nシリーズ
38mJ / cm2
TDUR-Nシリーズ
38mJ / cm2
300nm TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:300nm TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:300nm TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:300nm
250nm TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:250nm TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:250nm TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:250nm
200nm TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:200nm TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:200nm TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:200nm
180nm TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:180nm TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:180nm TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:180nm
170nm TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:170nm TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:170nm TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:170nm
160nm TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:160nm TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:160nm TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:160nm
150nm TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:150nm   TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:150nm
140nm TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:140nm   TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:140nm
130nm TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:130nm   TDUR-Nシリーズ 38mJ/cm2:130nm

 

厚膜KrFレジスト

膜厚10μmも確保できるポジ型レジストです。厚膜インプラ工程、階段層形成工程などで御使用いただいております。

TGMR-DP033 AE

特長

  • 厚膜パターニングに最適化した光透過性です
  • 厚膜においても高解像性、垂直プロファイルが得られます

条件

基板

Si (HMDS treatment)

膜厚

3.5um (RI: 1.68)

プリベーク

140°C-60秒

露光

KrFステッパー(NA :0.60/50.85)

P.E.B.

110°C-60秒

現像

NMD-3 2.38% 60秒

TGMR™-DP033 AE

文中のTGMRはTOKの出願中または登録商標です

TDUR-P9001 CO

プロファイル

  • ISO トレンチ ターゲット CD サイズ : 1.5μm
TDUR™-P9001 CO

実装条件

基板

Si with HMDS

レジスト膜厚

9.2um (R.I. 1.56)

プレベーク

140℃-60秒

露光

KrFステッパー(NA :0.55,σ :0.49)

レチクル

バイナリーレチクル

P.E.B

110℃-60秒

現像

NMD-3 2.38%, 60秒

ポストベーク

100℃-60秒

ターゲットCD

Trench : 1.5 umスペース /
16.5 umピッチ Dot: 1.5 umスペース /
12.0 umピッチ

文中のTDURはTOKの出願中または登録商標です

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