東京応化工業の製品サイト
接着剤
フォトリソグラフィープロセスにて微細なパターニングが可能です。選択的に微細パターンの接着層を形成して、半導体素子、MEMSセンサー、半導体基板、サポート版等の Si to Si、Si to ガラス、ガラス to ガラスの接着に適用可能な感光性接着剤です。低自家蛍光(Low-Autofluorescence)・低細胞毒性（Low-Cytotoxicity）といった特性を有するため、BioMEMSへの適用も可能です。
また、高透過率（99.9%@400nm,ｎ値1.52@550nm）を有する非感光性の接着剤も取り揃えております。
関連技術情報
感光性フィルムタイプ TMMF NA1000 ( 液体タイプTMMR NA1000PM )
構造形成と基板接合が一つの材料で可能
- ネガ型ドライフィルムレジスト (溶剤現像タイプ)
- 低温接合対応
- 低自家蛍光、極めて低い細胞毒性 (ISO-10993-5準拠)
フィルムタイプ プロセスフロー
アプリケーション : 半導体チップ同士の接着、半導体チップと基盤の接着。
プリンターヘッド、LED、TSV接合、半導体やセンサーのモジュール製造用途への適用をご提案致します。
- 低温キュア (200℃）
- PGMEA 現像
- 良好な密着性
- 適用膜厚範囲(5~60μm)
- 高耐熱性 (~280℃)
- 耐薬品性
接合強度
自家蛍光
ラミネートするフィルムタイプ TMMF NA1000 、スピン塗布する液体タイプ TMMR NA1000 PM の2種類を製品化しております。
文中のTAMFC、TMMF、TMMRはTOKの出願中または登録商標です
TBDB用仮止め接着剤
東京応化工業は先端パッケージ向けのソリューションとして、ウエハを薄化して積層する三次元実装技術（3D 及び2.5D）向けに独自のウエハハンドリングシステム（ZeroNewton）を開発し、同プロセス向けに仮止め接着剤を提供します。
あわせて、ファンアウトプロセス向けウエハレベル(FO WLP)及びパネルレベル(FO PLP)用の仮止め接着剤を提供いたします。
三次元実装プロセス ウエハレベル TSV
三次元実装技術は、電子回路を形成し、薄片化した半導体ウエハを三次元に積層する実装技術です。層間を貫通電極を使って通電させるため、半導体の小型化・高密度化・省電力化、さらに信号伝送と処理速度の高速化など、多くのメリットを得ることができます。
この積層化プロセスに対して東京応化工業は、半導体ウエハのサポートガラスへの貼付・分離を行うプロセスを開発しました。このウエハハンドリングシステムは、三次元実装プロセスの大幅な効率化を可能にし、半導体のさらなる高性能化に応える最新のプロセス技術です。
ウエハまたはサポートガラスに仮止め接着剤を塗布して、ウエハにサポートガラスを貼り付けます。
裏側の処理（薄化、デバイス作成）後、サポートガラスを剥がし洗浄します。
三次元実装プロセス ウエハレベル Fan-out
リリースレイヤーを塗布したサポートガラスに仮止め接着剤を塗布します。
チップ貼付け、モールド工程、再配線及びバンプ工程を経た後、サポートガラス１を剥がし洗浄します。
オプションとして、再配線及びバンプ工程後の基板にサポートガラス2を貼付け、さらにサポートガラス1側に同様の処理を行う事も出来ます。
仮止め接着剤開発ヒストリー
ZeroNewton、TZNRはTOKの出願中または登録商標です
仮止め接着剤基本データ
| 工程 | ターゲット工程 | TBDB | Fan-out | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 測定項目 | A4012-1 | A4017 | A4035 | A4007 | A4030H | |
| コーティング | 標準(μm) (粘度) |
35~100 (10000cP) |
35~100 (10000cP) |
35~100 (10000cP) |
5~10 (300cP) |
5~10 (300cP) |
| ダイボンディング ＠低温 |
ヤング率 [GPa] (Fisher HMによる測定) |
0.15 | 0.22 | 0.53 | 0.04 | 0.43 |
| Modulus E*at 100℃ [KPa] (1Hz, Rheology) |
1200 | 4680 | 156000 | 9700 | 187000 | |
| 耐熱性 | △5% 重量減少温度(TGA) [℃] | > 350 | > 350 | > 350 | > 350 | > 350 |
| 脱ガス(TDS) | Good | Good | Good | Good | Good | |
| Modulus E* or G*at 180℃ [KPa] (1Hz, Rheology) |
68(G) | 138 | 725 | 321(G) | 7000 | |
| Modulus E* or G*at 200℃ [KPa] (1Hz, Rheology) |
26(G) | 36(G) | 55(G) | 312(G) | 1520 | |
| Modulus E* or G*at 260℃ [KPa] (1Hz, Rheology) |
3.7(G) | 17(G) | 14(G) | 293(G) | 266 | |
| ウエハレベルボンディング (12inch, FT 50um, 215℃, 4t-120s) |
OK | OK | OK | NG | NG | |
| 反り | Tg(DMA tensile) [℃] | 90 | 90 | 140 | 100 | 140 |
| CTE(a1, <Tg) [ppm] | 90 | 90 | 90 | 100 | 80 | |
| 膜ストレス [MPa] | 0.5 | 0.6 | 1.2 | 0.6 | 1.2 | |
| 洗浄 | TZNR-HC Thinnerによる洗浄 | OK | OK | OK | OK | OK |
| 溶解速度 [nm/s] | 140 | 140 | 120 | 70 | 70 | |
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