表面処理剤、表面改質剤

親水性を疎水性に改質する表面処理剤と有機膜層間の剥がれを防止する密着向上剤

フォトリソプロセスや有機膜の積層構造体を形成する際に下地基板との密着性を確保するための基板表面処理剤です。基板界面を疎水性に改質する表面改質剤と有機物の多層構造を形成する際に上層膜と下層膜の密着性向上させる塗布材料の二種類の製品をご用意しております。

■関連技術情報

OAP

親水基(-OH基)が取り込まれた基板表面をHMDS処理する事により、簡易に疎水性に改質処理が可能です。OAPはTOKのHMDS処理材料の製品名称で、広く使用されています。
フォトリソ工程で用いれば、基板とフォトレジストとの密着性を向上が可能です。

CAUT-200、TAP-017

多層構造体を形成する際に、下層材料と上層材料の密着性を向上する塗布材料です。
下地層膜(又は、基板)に上層材料を形成する前処理として、CAUT-200やTAP-017を塗布、ベークすることにより、下地層表面に数nmレベルの有機層を形成し、下層膜(基板)とその上に形成する材料との層間の密着を向上いたします。

CAUT-200、TAP-017

■材料ラインナップ

  OAP CAUT200 TAP-017
特徴
  • 2種類の成膜方法に対応
  • 高い密着性向上効果
  • 超薄膜タイプ
  • 高い密着性向上効果
  • 基板キャンセル効果
  • ウェットエッチング耐性(Cr)
密着性向上効果 * 官能基部分のみ
密着性向上
* 基材全面の
密着性向上
* 基材全面の
密着性向上
膜厚 < 5/1500rpm 5/1500rpm 3nm/1500rpm
成膜方法 スピンコーティング
蒸着 × ×
ベーク温度 80°C~ 140°C~ 120°C~
剥離方法 O2 ashing O2 ashing~ O2 ashing
対応基材 Si
化合物半導体 ×
ガラス ×
基板表面のキャンセル効果 × ×
ウェットエッチング耐性(Cr) × ×

OAP (HMDS)

OAP (HMDS)

親水基(-OH基)が取り込まれた基板表面をOAP(HMDS)処理する事により、簡易に疎水性に改質処理が可能です。
フォトリソ工程で用いれば、基板とフォトレジストとの密着性を向上が可能です。

HMDS処理

OH基が取り込まれたシリコン基板やSiO膜上の親水性の表面をHMDS処理することにより基板界面をトリメチルシリル化してレジストの密着性が向上します。現像時のレジストパターン倒れの防止やウェットエッチングのサイドエッチング量を低減することで可能です。

HMDS処理

CAUT-200

CAUT-200

CAUT-200は、親水性ウエハ表面の改質を通じて基板とフォトレジストとの接着性を向上させるように設計されています

多層構造体を形成する際に、下層材料と上層材料の密着性を向上する塗布材料です。
下地層膜(又は、基板)に上層材料を形成する前処理として、CAUT-200を塗布、ベークすることにより、下地層表面に数nmレベルの有機層を形成し、下層膜(基板)とその上に形成する材料との層間の密着を向上いたします。

密着性向上コンセプト

エポキシ系ポリマーが塗布表面にコーティングされ、
熱リフローにより基板界面に接着します。

密着性向上コンセプト
密着性向上コンセプト
HMDS
HMDS
CAUT200
CAUT200
関連技術情報

密着性向上材料Q&A

密着向上材とは?
フォトレジスト等の有機膜を塗布する際に下地基板と密着性や親和性を確保するための基板表面処理剤です。
密着性を簡単に上げる方法はありますか?
フォトレジストと下地基板の親和性を高める為には、レジスト塗布時のPreBake温度を上げる等の手法があります。
一般的に密着性効果としては基板表面処理剤によるケミカル処理の方が高いと言われています。
CAUT 200は密着性以外の用途も使用されています。
CAUT 200はエポキシ系ポリマーが塗布表面に数nmコーティングされます。
この効果を利用して、デバイスに組み込む超薄膜材料としての使用用途も御座います。

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