

親水性を疎水性に改質する表面処理剤と有機膜層間の剥がれを防止する密着向上剤
フォトリソプロセスや有機膜の積層構造体を形成する際に下地基板との密着性を確保するための基板表面処理剤です。基板界面を疎水性に改質する表面改質剤と有機物の多層構造を形成する際に上層膜と下層膜の密着性向上させる塗布材料の二種類の製品をご用意しております。
親水基(-OH基)が取り込まれた基板表面をHMDS処理する事により、簡易に疎水性に改質処理が可能です。OAPはTOKのHMDS処理材料の製品名称で、広く使用されています。
フォトリソ工程で用いれば、基板とフォトレジストとの密着性を向上が可能です。
多層構造体を形成する際に、下層材料と上層材料の密着性を向上する塗布材料です。
下地層膜(又は、基板)に上層材料を形成する前処理として、CAUT-200やTAP-017を塗布、ベークすることにより、下地層表面に数nmレベルの有機層を形成し、下層膜(基板)とその上に形成する材料との層間の密着を向上いたします。

| OAP | CAUT200 | TAP-017 | ||
|---|---|---|---|---|
| 特徴 |
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| 密着性向上効果 | 中 * 官能基部分のみ 密着性向上 |
高 * 基材全面の 密着性向上 |
高 * 基材全面の 密着性向上 |
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| 膜厚 | < 5Å/1500rpm | 5Å/1500rpm | 3nm/1500rpm | |
| 成膜方法 | スピンコーティング | 〇 | 〇 | 〇 |
| 蒸着 | 〇 | × | × | |
| ベーク温度 | 80°C~ | 140°C~ | 120°C~ | |
| 剥離方法 | O2 ashing | O2 ashing~ | O2 ashing | |
| 対応基材 | Si | 〇 | 〇 | 〇 |
| 化合物半導体 | × | 〇 | 〇 | |
| ガラス | × | △ | 〇 | |
| 基板表面のキャンセル効果 | × | × | 〇 | |
| ウェットエッチング耐性(Cr) | × | × | 〇 | |

親水基(-OH基)が取り込まれた基板表面をOAP(HMDS)処理する事により、簡易に疎水性に改質処理が可能です。
フォトリソ工程で用いれば、基板とフォトレジストとの密着性を向上が可能です。
OH基が取り込まれたシリコン基板やSiO膜上の親水性の表面をHMDS処理することにより基板界面をトリメチルシリル化してレジストの密着性が向上します。現像時のレジストパターン倒れの防止やウェットエッチングのサイドエッチング量を低減することで可能です。


CAUT-200は、親水性ウエハ表面の改質を通じて基板とフォトレジストとの接着性を向上させるように設計されています
多層構造体を形成する際に、下層材料と上層材料の密着性を向上する塗布材料です。
下地層膜(又は、基板)に上層材料を形成する前処理として、CAUT-200を塗布、ベークすることにより、下地層表面に数nmレベルの有機層を形成し、下層膜(基板)とその上に形成する材料との層間の密着を向上いたします。
エポキシ系ポリマーが塗布表面にコーティングされ、
熱リフローにより基板界面に接着します。


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