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DSA材料
誘導自己組織化材料
自己組織化リソグラフィー(DSA)は塗布・アニール・現像のみでパターニング可能なため次世代の半導体製造技術として期待されています。ブロック共重合体(BCP)の自己組織化現象を利用した材料開発を進めています。
プロセスフロー
ブロック共重合体の組成を変更することで、ラインとホールの繰り返しパターンを形成することが可能です。
ターゲットとしてライン/スペースは24nm程度、ホールはピッチ50nm程度を目標にしています。
〈参考例：ハーフピッチ25nmのBCP〉
（上部写真群）BCP膜厚違い（膜厚：30nm~130nm）での上空観察結果
（下部写真）BCP膜厚70nmでの断面観察結果
フィンガープリント観察における、ラメラ構造のラフネス改善効果確認結果
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