シンナーの用途は多岐に亘り、特定用途から多用途と数十種類あります。
現像液および剥離液のシンナーは専用リンスを用意しています。
バックリンスやエッジリンスには、OK73シンナー、LA95シンナーなど、配管洗浄用には溶解性の強い、SWKシンナー、NMPシンナー、γブチルラクトンなど、プリウエット用には拡がりの速いVFRシンナー、ONNR20シンナー、酢酸n-ブチルなどがあります。
リワーク用途としてVFRシンナーを始め、各レジストの溶剤を製品化していますのでご使用ください。
ポジ型フォトレジスト用シンナー
OK73シンナーは洗浄性に優れた安全性の高いフォトレジスト用シンナーです。
レジスト THMR-iP3100 膜厚 1μm プレベーク 90℃90秒
エッジリンス 50cc/分 0.6Kg/cm2 バックリンス 100cc/分 0.6Kg/cm2
(溶解時間) | エッジリンス | バックリンス |
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OK73 シンナー (1.4秒) |
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OFPR800 シンナー (1.6秒) |
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MMP シンナー (0.7秒) |
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PGMEA (2.5秒) |
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PGME (1.0秒) |
ポジ型フォトレシスト用シンナー
VFRシンナーは洗浄性に優れたシンナーです。
樹脂溶解 100℃ベーク
シンナー1500rpm 20秒、回転乾燥30000rpm 10秒
初期膜厚 | ArF 1.52μm | KrF 4.36μm | I線 4.46μm |
---|---|---|---|
OK73シンナー | 1.32μm | 0.00μm | 0.01μm |
VFRシンナー | 0.12μm | 0.17μm | 1.09μm |
※初期膜厚に対して、処理後の残膜を測定
初期膜厚 | 未使用 | プリウエット | レジスト滴下量の差 |
---|---|---|---|
OK73シンナー | 3.0cc | 2.5cc | 0.5cc |
VFRシンナー | 0.9cc | 2.1cc |
※プリウェットの有無によるレジスト(OFPR-800)滴下量の差を測定
※リワーク性能とは、レジスト塗布、露光、現像工程において処理条件および装置不具合により異常(設計寸法が得られない等)が発生した場合、既に形成されているレジスト膜を半導体基板から除去し、新ためてレジスト塗布し、露光、現像工程を行うことです。
シンナー滴下 1000rpm/30秒 回転乾燥 3000rpm/10秒
レジスト膜厚 1μm プレベーク 110℃90秒
1ml | 2ml | 3ml | 4ml | |
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OFPR-800 | × |
× |
× |
○ |
TSCR-120i | × |
× |
○ |
○ |
※シンナー(VFR)の滴下量を変えて、残渣を観察
文中のOK73シンナー、VFR、OFPR、TSCRはTOKの出願中または登録商標です
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