tokは特殊な工程が多いMEMS/Sensor製造プロセスに特化したフォトレジスト、感光性永久膜によって、世界のMEMS製造を支える会社です。

製品情報

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高密度実装/MEMS製造の関連材料を紹介します。

高機能携帯端末や電子部品などの軽量化/薄型化/小型化を支える独自の高密度実装/MEMS製造関連材料を幅広くサポート。

高機能携帯端末に代表される製品の高性能化に加え、軽量化/薄型化/小型化への取り組みは、私たちの想像を越えるスピードで進んでいます。この軽量化/薄型化/小型化の実現にとって、極めて重要な役割を果たすのが、パッケージ技術であり、MEMS製造技術です。

東京応化工業(tok)では、最先端のパッケージプロセスをはじめ、各種実装プロセスに最適なフォトレジストやプロセス機器を開発、製品化しています。パッケージ用フォトレジストとしては、ウエハレベルCSP用/ SiP用/再配線用/TAB用/COF用など、広範な生産技術に対応したフォトレジストを提供しています。さらにプロセス機器においては、面内均一性に優れ、20 ~ 100μmレベルの厚膜形成を可能にした塗布装置を開発するなど、厚膜プロセスに対して、独自の技術でお応えしています。

また電子部品の微小化と高性能化に広く利用されているのが、MEMS製造技術です。このMEMS技術は、電気/機械/光/材料などで構成される融合技術であり、今後、電子部品開発の基盤技術として大きな役割が期待されています。すでに一部の電子部品に応用され、イメージセンサーやインクジェットノズル、高周波デバイス等々の製造技術に導入されています。

東京応化工業(tok)では、厚膜対応のMEMS用永久フォトレジストを製品化し、一度の塗布で100μmレベルの厚膜が高均一に形成できるノンスピンコーターや厚膜用現像装置を開発しています。私たちは、MEMS分野においても高品質で効率的な最新の加工技術を提供し、電子部品の微小化を材料と装置の両面から幅広くサポートしています。

TMMR
LSA
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用語集

ポジ型フォトレジスト
露光した後に現像という処理を行うと、露光されなかった部分が像として残るフォトレジスト。
ネガ型フォトレジスト
露光した後に現像という処理を行うと、露光された部分が像として残るフォトレジスト。
ウェハレベルCSP
チップサイズと同等か、わずかに大きいパッケージの総称。
フォトレジスト膜形成
液状フォトレジストは、スピンコート、スプレーコート、カーテンコート、スリットコート等によって膜を形成する。ドライフィルムレジストは、ラミネートによって膜を形成する。
化学増幅型フォトレジスト
光化学反応により触媒作用のある酸を生成させ、露光の後に行われる熱処理プロセスにおいてこの酸を触媒としてレジストポリマー中の官能基を反応させ、この時の物性変化を利用してパターンを形成する。
ナフトキノン系フォトレジスト
芳香族化合物のベンゼン環に2つのカルボニル基を持つジカルボニル化合物の総称をキノンという。その中で、芳香環がナフタレン環の場合をナフトキノンと呼び、このナフトキノンの光反応を利用してパターンを形成する。
ウェハ薄片化
半導体パッケージ内に複数のチップを積層化するためにウェハを薄化すること。

東京応化工業(tok)の「MEMS製造分野」特設サイト。MEMS/Sensor製造分野において、構造体形成、特殊加工に対応する感光性材料の開発に注力しております。製造工程数の削減やSi深掘り工程、リフトオフ工程、表面保護膜等に対応できる材料についてなど、様々なご要望にお応えします。